MHW5222 时间：2025/9/3 6:42:46 阅读：5

MHW5222是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件设计用于在高效率电源转换器、DC-DC转换器和电机控制电路中提供优异的性能。MHW5222具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热稳定性，是工业控制、通信电源和消费类电子设备中的常用功率器件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：15A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（最大值）
　　功耗(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220AB

特性

MHW5222 MOSFET具备多项优异特性，适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下功耗最小，提高系统效率。其次，MHW5222具有高耐压能力，漏源电压额定值为200V，适用于中高功率的开关电源和DC-DC转换器。此外，该器件采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，适用于自然冷却或加装散热片的应用环境。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，适用于多种驱动电路设计。MHW5222在高温环境下仍能保持稳定工作，最大工作温度可达175℃，适合用于高可靠性工业设备。其160W的最大功耗允许在高负载条件下稳定运行，适用于需要长时间工作的电源系统。
　　此外，MHW5222的封装设计便于安装和焊接，适用于通孔安装（Through-Hole）工艺，广泛应用于各种电源管理电路和功率控制模块中。

应用

MHW5222广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和电池管理系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，它特别适合用于通信电源、工业自动化控制和消费类电子产品中的功率管理电路。
　　在开关电源中，MHW5222可用于初级侧开关，提供高效率的能量转换。在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器，提高转换效率。在电机驱动应用中，MHW5222能够提供足够的电流驱动能力，适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制。
　　此外，MHW5222还适用于逆变器拓扑结构，如半桥和全桥电路，用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用。由于其高可靠性和良好的热稳定性，该器件也被广泛用于需要长时间运行的工业控制系统中。