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MB29LV800BE-70PFTN 发布时间 时间:2025/8/8 20:40:22 查看 阅读:15

MB29LV800BE-70PFTN 是由富士通(Fujitsu)公司生产的一款Flash存储器芯片,属于其MB29LV系列的高性能闪存解决方案。这款芯片主要用于嵌入式系统、工业控制设备以及需要高可靠性和持久性的存储应用。MB29LV800BE-70PFTN 提供了8MB的存储容量,支持5V供电电压,具备高性能的读取速度和低功耗特性。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)技术,便于在各种紧凑型电子设备中使用。

参数

容量:8MB
  电压范围:2.7V - 3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:16位
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装尺寸:54-Pin TSOP
  最大读取电流:10mA
  待机电流:10μA
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成

特性

MB29LV800BE-70PFTN 的主要特性包括其高性能和低功耗设计,适用于多种嵌入式应用场景。该芯片支持快速读取操作,访问时间仅为70ns,能够显著提升系统的响应速度。此外,MB29LV800BE-70PFTN 在工作电压范围上表现出良好的灵活性,支持2.7V到3.6V的供电电压,使其能够在不同电源条件下稳定运行。芯片的低功耗设计在待机模式下仅消耗10μA的电流,非常适合电池供电设备。
  该芯片还具备高可靠性,能够在-40°C至+85°C的宽工作温度范围内正常运行,适用于工业级环境。MB29LV800BE-70PFTN 的存储单元可支持至少10万次的擦写周期,同时数据保存时间长达10年,确保了长期使用的稳定性。此外,该芯片内置了编程和擦除所需的电荷泵电路,无需外部高压电源,简化了系统设计。
  MB29LV800BE-70PFTN 支持多种软件控制功能,例如块擦除、扇区擦除和单一字节编程,用户可以根据具体应用需求灵活选择操作模式。芯片还具备硬件写保护功能,可防止意外擦除或写入操作,从而保护关键数据的安全性。

应用

MB29LV800BE-70PFTN 广泛应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信设备、医疗仪器以及消费类电子产品中。由于其高性能、低功耗和高可靠性的特点,这款芯片特别适合需要非易失性存储器来保存固件、配置数据或关键程序代码的场景。例如,在嵌入式控制器中,MB29LV800BE-70PFTN 可用于存储启动代码和操作系统映像;在工业设备中,可用于存储设备配置信息和运行日志;在通信模块中,它可用于保存通信协议和固件更新。
  此外,MB29LV800BE-70PFTN 也常用于汽车电子系统,如车载导航、信息娱乐系统以及车身控制模块,这些应用对存储器的可靠性和温度适应性有较高要求。该芯片的硬件写保护功能还使其成为需要数据保护的高安全性应用的理想选择。

替代型号

AM29LV800B-70WE, MX29LV800BBTC-70G, S29AL008J70TF101

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