PAU1626BI-S1R1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能转换电路。其封装形式为SOP-8,适合表面贴装技术(SMT),广泛用于消费电子、工业设备及通信设备中。
该型号的MOSFET特别优化了动态性能和静态性能之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。同时,其出色的热特性和电气特性确保了在高负载条件下的稳定运行。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:55mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:1.4W
结温范围:-55℃至+150℃
封装:SOP-8
1. 低导通电阻,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高开关速度,减少开关损耗,适应高频应用需求。
3. SOP-8封装,支持自动化生产,节省PCB空间。
4. 具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 可靠性高,经过严格的质量检测,满足多种工业标准要求。
6. 低栅极电荷,简化驱动设计并降低驱动功耗。
7. 提供过流保护功能,增强系统的安全性和稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器,用于电压调节和电流控制。
3. 电池管理系统(BMS),实现充放电保护。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 工业电机驱动中的功率级元件。
6. 电信设备中的电源管理模块。
7. LED驱动电路,提供高效的电流调节能力。
PAU1626BI-S2R1
IRLZ44N
FQP30N06L