GA0603H681MXXAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 GaN(氮化镓)基器件。该芯片采用了先进的 GaN 技术,具备低导通电阻、高开关速度和高频工作的特点,适用于需要高效能和小体积设计的应用场景。
该型号中的具体参数定义包括:GaN 器件类型、封装形式、额定电压和电流范围等,使其在电源管理、快充适配器、无线充电以及 D类音频放大器等领域表现出色。
型号:GA0603H681MXXAC31G
类型:增强型 GaN HEMT
漏源电压(Vdss):650V
连续漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):160mΩ
栅极阈值电压(Vth):2.5V~4.5V
输入电容(Ciss):1790pF
输出电容(Coss):38pF
反向传输电容(Crss):12pF
最大功耗(Ptot):4W
工作温度范围:-55℃~+150℃
GA0603H681MXXAC31G 具备以下主要特性:
1. 使用 GaN 技术制造,具有非常低的导通电阻和极高的开关速度,能够显著减少能量损耗。
2. 额定漏源电压高达 650V,适用于高压应用场景。
3. 内置优化的保护功能,如过流保护和短路保护,提升了整体系统的可靠性。
4. 封装小巧,易于集成到紧凑型设计中,特别适合便携式电子设备。
5. 支持高频操作,有助于减小无源元件尺寸并提升系统效率。
6. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
GA0603H681MXXAC31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- AC-DC 和 DC-DC 转换器
- PFC(功率因数校正)电路
2. 快速充电器:
- USB-PD 协议充电器
- 多端口充电设备
3. 无线充电:
- 符合 Qi 标准的无线充电发射端和接收端
4. 汽车电子:
- OBC(车载充电器)
- DC-DC 转换模块
5. 工业自动化:
- 电机驱动
- 不间断电源 (UPS)
6. 消费类电子产品:
- D类音频放大器
- LED 驱动器