时间：2025/9/2 17:49:30
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MHW3172 是一款由日本东芝（Toshiba）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种高功率电子设备中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻和高速开关性能，适用于电源转换、DC-DC转换器、电机驱动等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值）
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
MHW3172 具有极低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其优化的单元设计确保了在高温环境下的稳定运行，同时提高了器件的可靠性和耐久性。此外，MHW3172 的高速开关特性使其适用于高频操作，减少了外围电路的设计复杂性。
该器件的栅极驱动要求较低，可以与标准逻辑电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。MHW3172 还具有较高的热稳定性，能够承受较大的瞬态电流冲击而不会发生热失控现象。这使得它在需要频繁开关和大功率输出的应用中表现出色，例如电源供应器、逆变器以及工业电机控制系统。
MHW3172 主要用于高功率开关应用，如DC-DC转换器、电源管理系统、工业电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车控制系统）。其优异的导通性能和高耐压特性使其成为许多高性能功率电子设备中的关键元件。
TK120E06K, IRF1404, SiHF120N60E
