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ESDBV5V0D3 发布时间 时间:2025/8/17 3:37:23 查看 阅读:19

ESDBV5V0D3是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路和敏感电子设备提供高效、可靠的过压保护。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,具备快速响应时间和低钳位电压的特性,适用于各种需要防止静电放电、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌冲击的场合。ESDBV5V0D3采用SOT-23-3封装,适合在空间受限的便携式电子产品中使用。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  工作电压:5V
  最大反向工作电压(VRWM):5V
  最大钳位电压(VC):9.2V(在Ipp=1A时)
  击穿电压(VBR):5.55V(最小值)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  响应时间:小于1ns
  封装形式:SOT-23-3
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

ESDBV5V0D3的主要特性包括其出色的ESD保护能力,能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准。该器件的低钳位电压确保在发生ESD事件时,被保护设备的电压不会超过安全范围,从而有效防止损坏。此外,ESDBV5V0D3的快速响应时间小于1纳秒,能够在静电放电发生的瞬间迅速动作,将能量导向地线,保护后端电路。
  该器件的双向保护结构使其适用于交流和直流信号线路的保护,广泛应用于USB接口、HDMI、以太网、RS-485、CAN总线等通信接口。SOT-23-3封装不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械强度,适合在高振动或高湿度环境下使用。
  ESDBV5V0D3的低漏电流特性(通常小于10nA)确保在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响,同时其高可靠性设计使其能够在极端温度条件下稳定运行。

应用

ESDBV5V0D3广泛应用于各类电子设备中,用于保护高速数据线路免受静电放电和其他瞬态电压的损害。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数字相机等便携式设备的USB接口和HDMI接口保护;工业控制系统中的通信端口保护,如RS-485和CAN总线;汽车电子系统中的车载娱乐接口、OBD-II端口保护;以及网络设备中的以太网端口保护。此外,该器件还可用于医疗设备、安防系统和消费类电子产品的信号线路保护。

替代型号

ESD5V3B1B、PESD5V0S1BA、NUP4201

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