时间：2025/8/13 13:28:43
阅读：24
LESD9D3.3CT5G 和 ESD9B3.3ST5G 是两种常见的用于静电放电（ESD）保护的半导体器件，主要用于保护敏感电子元件免受静电和瞬态电压的损害。LESD9D3.3CT5G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一种双向ESD保护二极管，具有较低的击穿电压和快速响应时间，适用于高速数据线路的保护。而 ESD9B3.3ST5G 则是一种单向ESD保护器件，同样适用于低压信号线路的保护。
工作电压: 3.3V
钳位电压: 8.2V (最大值)
峰值电流: 10A (8/20μs波形)
响应时间: <1ns
封装类型: SOT-23
通道数: 单通道
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
LESD9D3.3CT5G 和 ESD9B3.3ST5G 均具备快速响应时间，能够在静电事件发生的极短时间内将电压钳制在安全范围内，从而有效保护后端电路。LESD9D3.3CT5G 采用双向保护结构，适用于需要双向保护的应用场景，例如USB接口、HDMI信号线等。而 ESD9B3.3ST5G 为单向结构，适用于直流电源或单向信号线的保护。两种器件均采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB设计中使用。
此外，这两款器件的低钳位电压特性可以确保在ESD事件中不会对受保护设备造成过高的瞬态电压冲击，从而提高系统的可靠性。它们的低电容特性也使其适用于高速数据传输线路，不会对信号完整性造成显著影响。LESD9D3.3CT5G 和 ESD9B3.3ST5G 都具有良好的耐用性和稳定性，能够在多次ESD冲击下保持性能不变。
这些ESD保护器件广泛应用于便携式电子设备、通信设备、计算机及外设、工业控制系统、汽车电子系统等领域。具体应用包括USB接口保护、HDMI、DisplayPort等高速信号线保护、电源管理电路保护、以及电池供电设备中的低压信号线路保护。由于其响应速度快、钳位电压低、封装小巧等优点，特别适用于对空间和性能都有较高要求的现代电子产品中。
LESD9D3.3CT5G可替代型号：PESD3V3S1BA、ESD9B3.3ST5G可替代型号：PESD3V3U1BA
