时间：2025/7/10 7:08:56
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DMN6013LFGQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了逻辑电平栅极驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压实现导通，非常适合低功耗和高效能应用。该器件采用 LFPAK56E 封装形式，具有出色的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域，尤其适合需要快速开关和低导通电阻的场景。
型号：DMN6013LFGQ
类型：N 沟道 MOSFET
封装：LFPAK56E
漏源极耐压 (VDS)：30V
连续漏极电流 (ID)：18A
栅极阈值电压 (VGS(th))：1.2V ~ 2.2V
导通电阻 (Rds(on))：1.4mΩ @ VGS = 10V
最大工作结温 (Tj(max))：175°C
功耗 (Pd)：97W
DMN6013LFGQ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.4mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 支持逻辑电平驱动，最低可在 1.2V 下开启，适用于电池供电和低压系统。
3. 高电流承载能力，连续漏极电流可达 18A，满足大功率应用需求。
4. 快速开关速度，降低开关损耗，提升效率。
5. 良好的热性能，支持长时间高负载运行。
6. 小巧的 LFPAK56E 封装形式，节省 PCB 空间。
7. 工作温度范围广 (-55°C 至 +175°C)，适应各种环境条件。
DMN6013LFGQ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. 消费类电子产品中的负载开关。
6. 通信设备中的功率管理模块。
7. 工业自动化中的功率控制单元。
DMN6013LFG, DMN6013UFDE, DMN6013UFQE
