时间：2025/7/25 17:56:53
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MHR30N20是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。MHR30N20的封装形式通常为TO-220或DPAK，适用于多种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：200V
漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.065Ω
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、DPAK
功率耗散(Pd)：125W
MHR30N20 MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗。该器件的高耐压能力使其适用于多种高压应用，如开关电源和DC-DC转换器。此外，MHR30N20具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。其快速开关特性也有助于提高功率转换效率，减少开关损耗。MHR30N20还具备较高的短路耐受能力，有助于防止在异常工作条件下发生损坏。
MHR30N20广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器和电池充电器等。在工业自动化系统中，它常用于高频逆变器和功率因数校正(PFC)电路。此外，该器件也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器和电动助力转向系统。
IRF30N20D, FQA30N20C, STP30NF20
