时间：2025/5/10 14:43:07
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OCH1901WAE 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效功率晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的效率和性能。
作为一款增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），OCH1901WAE 具备出色的热稳定性和可靠性，适合要求高性能和小尺寸设计的应用环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：30nC
开关速度：小于 15ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
OCH1901WAE 的主要特性包括：
1. 高效开关性能：由于其低导通电阻和快速开关速度，能够在高频条件下保持较低的功耗。
2. 紧凑型封装：采用紧凑型封装设计，节省了 PCB 空间，同时提高了散热效率。
3. 高可靠性：经过严格的测试流程，确保在各种恶劣环境下均能可靠运行。
4. 宽工作温度范围：支持从 -40℃ 到 +125℃ 的宽温区操作，适应多种应用环境。
5. 内置保护功能：集成过流保护和热关断机制，进一步提升了器件的耐用性。
OCH1901WAE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动和其他需要高频开关的应用。
3. LED 驱动：为大功率 LED 提供精确的电流控制。
4. 充电器：包括手机快充、笔记本电脑充电器等设备。
5. 工业自动化：用作工业控制器中的功率级元件。
OCH1902WAE, OCH1801WAE
