时间：2025/9/6 0:05:00
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LTL1CHJFTNN 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率和低功耗应用，具有小型封装和高性能特性。LTL1CHJFTNN 采用 Rohm 的先进工艺技术制造，能够在相对较小的封装中提供出色的电气性能和热管理能力，适合在消费类电子、便携式设备、电池供电系统以及各种电源管理应用中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：100mA
功耗 Pd：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-523
LTL1CHJFTNN MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，在低电压条件下仍能保持较高的导电效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，使得其在小型化的同时保持了优异的电气性能。
此外，LTL1CHJFTNN 具有较低的栅极电荷（Qg），使其适用于高频开关应用，从而提高整体系统的效率。该器件的封装形式为 SOT-523，具有较小的体积，非常适合空间受限的设计场景。
由于其低功耗特性和良好的热稳定性，LTL1CHJFTNN 可在高温环境下稳定工作，具有较长的使用寿命和较高的可靠性。同时，该 MOSFET 提供了良好的抗静电性能和耐压能力，能够有效防止在电路运行中因过压或静电放电造成的损坏。
器件的引脚排列设计合理，便于 PCB 布局和焊接，降低了设计复杂度，并提升了制造效率。
LTL1CHJFTNN 主要用于低压功率管理电路、电池供电设备、便携式电子设备、DC-DC 转换器、负载开关、逻辑电平转换器以及各种低功耗开关电路。该器件特别适用于对空间和功耗有严格要求的嵌入式系统和移动设备中。
例如，在智能手机、平板电脑、穿戴设备、无线传感器节点、物联网设备等产品中，LTL1CHJFTNN 可作为电源开关或信号控制元件，实现高效的能量管理。此外，该 MOSFET 也可用于 LED 驱动电路、电机控制、继电器替代方案以及各种小型电子模块的电源控制部分。
在工业自动化和通信设备中，该器件也常用于低电压信号切换、隔离控制和逻辑接口电路。
2N7002K, BSS138, 2N3904
