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1N5354BG 发布时间 时间:2025/4/29 11:56:45 查看 阅读:18

1N5354BG是一种高压硅雪崩整流二极管,广泛应用于需要高电压处理能力的电路中。该器件具有出色的反向击穿电压特性和低正向电压降,适合用作瞬态电压抑制(TVS)保护和高压整流应用。其设计允许在较高的电流负载下保持稳定性能。

参数

最大反向电压:700V
  最大平均正向电流:2A
  峰值正向浪涌电流:200A
  正向电压(IF=1A):1.1V
  总功耗:15W
  结电容:8pF
  工作温度范围:-65℃ to +175℃

特性

1N5354BG采用了先进的半导体制造工艺,确保了在高压环境下的可靠性。
  它具备快速响应的特点,能够有效抑制瞬态电压波动。
  其低正向压降有助于减少功率损耗,从而提高整体系统效率。
  该器件的工作温度范围宽广,适用于极端条件下的应用。
  此外,其封装形式坚固耐用,可以承受机械应力并提供长期稳定性。

应用

1N5354BG常用于电力电子设备中的过压保护电路。
  它是开关电源、逆变器和电机驱动器等高压应用的理想选择。
  此外,它还被广泛用于工业控制、通信设备和汽车电子系统中,以实现可靠的高压整流功能。
  由于其耐高温特性,该二极管也适用于航天航空及军事领域的特殊应用场景。

替代型号

1N5354B
  1N5354
  MELF 1N5354

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1N5354BG参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)17V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 12.9V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)2.5 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5354BG-ND1N5354BGOS