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PSND50E/12 发布时间 时间:2025/8/9 1:06:21 查看 阅读:10

PSND50E/12 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率双极晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件主要用于高功率和高电压应用,如电源转换、电机控制、工业自动化系统以及需要高电流处理能力的场合。PSND50E/12 的设计使其能够在较高的电压和电流条件下稳定工作,具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:NPN 型双极晶体管
  集电极-发射极最大电压(Vceo):100V
  集电极最大电流(Ic):15A
  最大功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220
  增益(hFE):在 Ic=8A 时典型值为 75
  过渡频率(fT):5MHz
  集电极-基极电压(Vcb):100V
  发射极-基极电压(Veb):5V

特性

PSND50E/12 具备出色的功率处理能力和稳定的电气性能,适用于各种高要求的应用环境。其主要特性包括:高集电极电流能力(最大可达 15A),能够满足大功率负载的驱动需求;高集电极-发射极击穿电压(100V),适用于中高压电源系统;优良的热稳定性,结合 TO-220 封装,具有良好的散热性能,确保在高温环境下依然能保持稳定运行。
  此外,该晶体管具有较高的增益(hFE)值,在 Ic=8A 时典型值为 75,保证了在高电流条件下的有效放大能力。其过渡频率(fT)为 5MHz,使得它在中高频功率应用中也能表现良好。PSND50E/12 还具备较高的可靠性,能够在-55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作,适合工业级和汽车级应用需求。
  由于其高耐压、高电流和良好的热管理能力,PSND50E/12 被广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、H 桥驱动电路、继电器驱动、电机控制以及各种工业自动化设备中。

应用

PSND50E/12 主要应用于需要高功率放大的场合,包括但不限于以下领域:工业电源和电机驱动系统、汽车电子中的执行器和继电器控制、DC-DC 转换器和开关电源、功率放大器、H 桥电路、继电器和接触器的驱动、以及各种高电流负载的开关控制。该器件也常用于需要高效能、高可靠性的嵌入式系统和工业控制系统中。

替代型号

TIP142, MJ15003G, BDW101B

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