类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大有效值电压（VRMS）：42V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：200A
　　最大正向电压降（VF）：0.58V @ 10A, 0.62V @ 20A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 50mA @ 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　安装类型：通孔

MGBR20L60C的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结替代传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF）。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.58V（在10A时），即便在满载20A电流下也仅上升至0.62V左右。这一特性极大地减少了导通期间的能量损耗，提升了整体电源转换效率，尤其在低输出电压、大电流的DC-DC变换器中效果更为明显。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，表现出极快的开关速度。这一点对于高频开关电源至关重要，能够有效减少开关过程中的交叠损耗和电磁干扰（EMI），同时允许使用更小体积的滤波元件，有助于实现电源系统的微型化与轻量化。
　　该器件具备高达20A的平均正向整流电流能力，使其适用于高功率密度设计。其封装采用TO-220AB标准功率塑封结构，具有良好的散热性能，可通过外接散热片进一步增强热管理能力，确保在高温环境下长期稳定运行。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其不仅能在严苛的工业环境中可靠工作，也能适应汽车电子等对温度要求较高的应用场景。此外，MGBR20L60C的反向漏电流控制良好，在常温25°C下最大仅为0.5mA，尽管在高温125°C时会上升至50mA，但仍处于可接受范围内，合理设计散热即可避免因漏电流增加导致的热失控风险。整体而言，该二极管在效率、热性能和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效能电源设计中的优选器件之一。

MGBR20L60C广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。最常见的用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器和服务器电源中，作为次级侧同步整流或自由轮转二极管使用，以提升整体能效。在DC-DC转换器拓扑结构如Buck、Boost和Flyback电路中，该器件常被用于续流路径，利用其低正向压降特性减少能量损失，提高转换效率。此外，它也适用于光伏逆变器中的旁路保护电路，防止热斑效应损坏太阳能电池板。在电池管理系统（BMS）和电动工具、电动自行车等便携式动力设备的充电电路中，MGBR20L60C可作为防反接和整流元件，保障系统安全运行。工业控制系统中的电机驱动模块也会采用此类高电流肖特基二极管进行能量回馈和换向保护。由于其符合RoHS标准并支持无铅焊接工艺，MGBR20L60C同样适用于消费类电子产品，如笔记本电脑电源、游戏主机电源模块以及LED照明驱动电源等对环保和可靠性有较高要求的场合。

MBR2060CT,MUR2060PT,SB2060,SBR20U60P