时间：2025/9/1 18:41:55
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H5GQ5223MFR-N8C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于其高密度DRAM产品线。这款芯片主要面向需要高速数据处理和大容量存储的应用场景，例如消费类电子产品、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统。该DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有较高的可靠性和稳定性。
容量：256Mb
组织结构：16M x16
电压：1.7V - 3.6V
速度等级：-55（18MHz）
封装：TSOP
数据总线宽度：16位
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5GQ5223MFR-N8C DRAM芯片具有多项显著的性能特点。首先，它具备256Mb的大容量，能够满足多种存储需求。其组织结构为16M x16，意味着该芯片可以同时处理16位的数据，这有助于提高数据吞吐能力。该芯片支持宽电压范围（1.7V至3.6V），使其能够在多种电源条件下稳定运行，提高了其在不同系统中的兼容性。
此外，H5GQ5223MFR-N8C的速度等级为-55，工作频率可达18MHz，适用于需要快速数据存取的应用。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）技术，减小了封装体积，适用于空间受限的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其能够在恶劣的工业环境条件下保持稳定运行。
H5GQ5223MFR-N8C DRAM芯片广泛应用于多种电子设备和系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和数字电视，该芯片可用于高速缓存和临时数据存储，以提高系统响应速度和运行效率。在网络设备方面，该芯片可应用于路由器、交换机和无线接入点等设备，用于数据包缓存和处理，确保高速数据传输的稳定性。
H5GQ5224MFR-N8C, H5GQ5223MFR-N8E, CY62148G, IS61LV25616-10T
