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H5GQ5223MFR-N8C 发布时间 时间:2025/9/1 18:41:55 查看 阅读:10

H5GQ5223MFR-N8C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其高密度DRAM产品线。这款芯片主要面向需要高速数据处理和大容量存储的应用场景,例如消费类电子产品、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统。该DRAM芯片采用先进的制造工艺,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x16
  电压:1.7V - 3.6V
  速度等级:-55(18MHz)
  封装:TSOP
  数据总线宽度:16位
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5GQ5223MFR-N8C DRAM芯片具有多项显著的性能特点。首先,它具备256Mb的大容量,能够满足多种存储需求。其组织结构为16M x16,意味着该芯片可以同时处理16位的数据,这有助于提高数据吞吐能力。该芯片支持宽电压范围(1.7V至3.6V),使其能够在多种电源条件下稳定运行,提高了其在不同系统中的兼容性。
  此外,H5GQ5223MFR-N8C的速度等级为-55,工作频率可达18MHz,适用于需要快速数据存取的应用。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)技术,减小了封装体积,适用于空间受限的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,表明其能够在恶劣的工业环境条件下保持稳定运行。

应用

H5GQ5223MFR-N8C DRAM芯片广泛应用于多种电子设备和系统中。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和数字电视,该芯片可用于高速缓存和临时数据存储,以提高系统响应速度和运行效率。在网络设备方面,该芯片可应用于路由器、交换机和无线接入点等设备,用于数据包缓存和处理,确保高速数据传输的稳定性。

替代型号

H5GQ5224MFR-N8C, H5GQ5223MFR-N8E, CY62148G, IS61LV25616-10T

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