时间：2025/9/24 7:04:35
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MGA-13316-BLKG 是安华高（Avago Technologies，现为Broadcom）推出的一款高性能砷化镓场效应晶体管（GaAs FET），专为高频、低噪声放大应用而设计。该器件采用先进的增强型pHEMT（假型高电子迁移率晶体管）工艺制造，具有出色的噪声系数、增益和线性度性能，适用于微波通信系统中的前端放大器。MGA-13316-BLKG 工作频率范围广泛，覆盖从直流到6 GHz的频段，使其成为无线基础设施、点对点微波链路、WLAN、雷达系统以及测试测量设备中低噪声放大的理想选择。该器件采用小型化的表面贴装封装（SOT-343），便于集成在紧凑型射频模块中，并具备良好的热稳定性和可靠性。由于其内部集成了输入匹配电路和部分偏置电路，设计人员可以简化外围电路设计，加快产品开发周期。此外，MGA-13316-BLKG 具有可调偏置功能，允许用户根据具体应用优化功耗与噪声性能之间的平衡，从而实现灵活的设计配置。
制造商：Broadcom (Avago)
产品类型：低噪声放大器
技术工艺：Enhancement-mode pHEMT
工作频率范围：DC ~ 6 GHz
噪声系数：0.75 dB @ 2 GHz, 1.1 dB @ 6 GHz
小信号增益：17.5 dB @ 2 GHz, 14.5 dB @ 6 GHz
工作电压：3 V
静态电流：12 mA（典型值）
输出IP3（OIP3）：+20 dBm @ 2 GHz
封装类型：SOT-343
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
偏置方式：外部可调栅极偏压
MGA-13316-BLKG 的核心优势在于其基于增强型pHEMT工艺实现的卓越低噪声性能和高增益表现。该器件在2 GHz频率下仅表现出0.75 dB的极低噪声系数，同时提供高达17.5 dB的小信号增益，这一组合使其非常适合用于接收链路前端，显著提升系统灵敏度。其增强型pHEMT结构意味着器件在零栅源电压下处于关闭状态，这大大简化了偏置电路设计，避免了负电压电源的需求，提高了系统的可靠性和集成便利性。通过一个简单的电阻分压网络即可设置合适的栅极电压，从而精确控制漏极电流，在功耗敏感的应用中实现最佳性能折衷。
该器件具备宽频带响应能力，从直流至6 GHz均能保持稳定的增益和噪声特性，支持多种无线通信标准，包括GSM、UMTS、LTE、Wi-Fi 5/6等。其高线性度表现体现在+20 dBm的输出三阶截距点（OIP3），确保在存在强干扰信号时仍能维持良好的信号完整性，减少互调失真对系统性能的影响。MGA-13316-BLKG 还具备良好的输入/输出回波损耗，减少了对外部匹配网络的依赖，有助于缩短设计周期并降低整体成本。
器件采用SOT-343四引脚塑料封装，尺寸小巧（约2 mm x 2 mm），非常适合高密度PCB布局。该封装还具备优良的散热性能和电磁屏蔽特性，有助于维持长期运行稳定性。所有内部匹配设计均经过优化，以实现50欧姆系统阻抗下的最佳性能，进一步降低设计复杂度。此外，该器件符合RoHS环保要求，适合用于商业和工业级射频设备中。
MGA-13316-BLKG 广泛应用于需要高性能低噪声放大的射频系统中。典型应用场景包括蜂窝基站的接收前端模块，特别是在分布式天线系统（DAS）和小型蜂窝（Small Cell）设备中，用于增强弱信号接收能力。在点对点和点对多点微波通信系统中，该器件可用于本地振荡器缓冲放大或接收通道预放大，提高链路预算。其宽带特性也使其成为通用测试与测量仪器的理想选择，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中的内置低噪放模块。
在企业级无线网络设备中，例如802.11ac/ax接入点和无线桥接器，MGA-13316-BLKG 可作为射频前端的低噪声放大器，显著提升Wi-Fi接收灵敏度和覆盖范围。此外，该器件还可用于卫星通信终端、GPS增强系统、军用无线电和雷达前端，尤其是在需要低功耗与高性能兼顾的便携式或远程部署设备中。由于其可调偏置特性，设计人员可根据实际工作环境动态调整工作点，适应不同温度条件或信号强度变化，从而实现智能化的射频前端管理。
AMMP-6422
MGA-633P8
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