时间：2025/6/14 12:07:49
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BSC065N06LS5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用最新的沟槽式技术设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。其典型应用包括开关电源、电机驱动、负载开关以及 DC-DC 转换器等领域。这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Leadless（TOLL），能够有效提高功率密度并减少寄生电感的影响。
该器件的最大额定电压为 60V，适用于中低压应用场景，同时具备低 RDS(on) 特性以优化效率。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：65A
导通电阻：1.4mΩ（在 VGS=10V 时）
总功耗：135W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-Leadless（TOLL）
BSC065N06LS5 具有非常低的导通电阻，可显著降低导通损耗，从而提升系统效率。
它采用了先进的沟槽栅极结构，能够在高频开关条件下提供优异的性能表现。
器件内置了防静电保护功能，提高了其在实际使用中的可靠性。
此外，由于其紧凑的 TOLL 封装设计，可以大幅减少 PCB 占用面积，并改善散热性能。
该器件还支持快速开关操作，能够适应现代电力电子设备对高效能和小型化的需求。
BSC065N06LS5 广泛应用于多种领域，例如工业自动化中的电机驱动控制、消费类电子产品中的适配器与充电器、通信设备中的 DC-DC 转换模块、不间断电源（UPS）系统以及电动工具的功率管理部分。
它的低导通电阻特性使其特别适合于需要高效能量转换的应用场景，如电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及其他要求高功率密度的设计。
BSC068N06NS5
BSC065N06L5
IRF7729TRPBF
