VJ0402D120KLBAJ 是由 Vishay 公司生产的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 PowerPAK? 1212-8S 封装。该器件主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备的电源管理。
该型号属于 Vishay 的 SiAxxx 系列,其设计旨在提供卓越的性能和可靠性,同时满足紧凑型应用的需求。
最大漏源电压(Vds):60 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):15 A
导通电阻(Rds(on)):1.3 mΩ @ Vgs = 10 V
栅极电荷(Qg):7 nC
输入电容(Ciss):1040 pF
输出电容(Coss):33 pF
反向恢复时间(trr):19 ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
VJ0402D120KLBAJ 提供了极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
该器件具有非常短的反向恢复时间(trr),使其非常适合高频开关应用。
PowerPAK? 1212-8S 封装具备出色的散热性能和电气性能,且占用空间小,适合紧凑型设计。
由于其高耐压能力和大电流处理能力,该器件能够在各种恶劣的工作条件下保持稳定运行。
Vishay 的质量控制确保了该芯片的一致性和可靠性,适用于工业和消费类电子领域。
VJ0402D120KLBAJ 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
3. 各种类型的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化和电机驱动中的功率控制。
5. 高效节能的电池充电解决方案。
6. 汽车电子系统中的直流电源管理模块。
VJ0402D120KLB, SiA443DJ, IRF7843