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VJ0402D120KLBAJ 发布时间 时间:2025/6/11 11:57:40 查看 阅读:6

VJ0402D120KLBAJ 是由 Vishay 公司生产的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 PowerPAK? 1212-8S 封装。该器件主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备的电源管理。
  该型号属于 Vishay 的 SiAxxx 系列,其设计旨在提供卓越的性能和可靠性,同时满足紧凑型应用的需求。

参数

最大漏源电压(Vds):60 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):15 A
  导通电阻(Rds(on)):1.3 mΩ @ Vgs = 10 V
  栅极电荷(Qg):7 nC
  输入电容(Ciss):1040 pF
  输出电容(Coss):33 pF
  反向恢复时间(trr):19 ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

VJ0402D120KLBAJ 提供了极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  该器件具有非常短的反向恢复时间(trr),使其非常适合高频开关应用。
  PowerPAK? 1212-8S 封装具备出色的散热性能和电气性能,且占用空间小,适合紧凑型设计。
  由于其高耐压能力和大电流处理能力,该器件能够在各种恶劣的工作条件下保持稳定运行。
  Vishay 的质量控制确保了该芯片的一致性和可靠性,适用于工业和消费类电子领域。

应用

VJ0402D120KLBAJ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
  3. 各种类型的负载开关和保护电路。
  4. 工业自动化和电机驱动中的功率控制。
  5. 高效节能的电池充电解决方案。
  6. 汽车电子系统中的直流电源管理模块。

替代型号

VJ0402D120KLB, SiA443DJ, IRF7843

VJ0402D120KLBAJ参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.61mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-