MG2700E是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:10A
导通电阻:4.5mΩ(典型值)
栅极电荷:19nC
总电容:320pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能,适用于高频应用。
3. 较小的封装尺寸,便于在紧凑设计中使用。
4. 内置反向二极管,提供额外的保护功能。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 具有良好的热稳定性和抗浪涌能力,适合严苛环境下的应用。
1. 开关电源中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)。
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP5800