2SK2499-AZ是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频开关和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω @ Vgs=10V
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
2SK2499-AZ具备低导通电阻,这有助于减少功率损耗,提高系统效率。其高开关速度适合高频操作,同时具备良好的热性能,可在高负载条件下保持稳定运行。
此外,该MOSFET具有较强的过载和瞬态电压承受能力,提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。2SK2499-AZ的TO-220封装形式便于散热,适用于多种功率电子设备的设计。
该器件采用了东芝先进的功率MOSFET制造工艺,确保了其在高温下的稳定性和长寿命。此外,其栅极驱动电压范围较宽,可在不同控制电路中灵活应用。
2SK2499-AZ常用于DC-DC转换器、开关电源、电池充电器、电机驱动器以及各种需要高效功率控制的电子系统。其在汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备中都有广泛应用。
2SK2498-AZ, 2SK2466-AZ