时间：2025/8/25 2:49:59
阅读：3
SKW7N60TM 是一款由士兰微电子（Semtech）生产的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等。SKW7N60TM采用了先进的平面工艺技术，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性。其最大漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）为7A，适用于中高功率等级的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：7A
峰值漏极电流（IDM）：28A
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（典型值）
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
SKW7N60TM MOSFET具有多项优良特性，使其在各类电源管理系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的最大导通电阻仅为1.5Ω，这在同类产品中表现优异。
其次，SKW7N60TM具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达600V，适合用于高压应用环境，如工业电源、变频器和逆变器等。此外，该器件的最大栅源电压为±20V，允许在较宽的控制电压范围内工作，提高了设计的灵活性。
在热管理方面，SKW7N60TM采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。其最大功率耗散为30W，能够在高温环境下保持较好的性能表现。
该MOSFET的开关特性也十分优秀，具备快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关电源应用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣工作环境，增强了系统的可靠性和稳定性。
另外，SKW7N60TM还具有较强的抗过载能力，在短时间内可承受较高的电流冲击，适用于需要瞬态响应的应用场景，如电机启动、电容充电等。这种能力使其在工业控制、家电和新能源系统中具有广泛的应用前景。
SKW7N60TM广泛应用于各类电源管理系统和功率控制设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、LED驱动电源、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，该器件特别适用于需要高效率、高可靠性和高稳定性的中高功率应用场景。
FQP7N60C、IRF7N60A、STW7N60M、FQA7N60C
