时间：2025/6/19 9:59:07
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MG15N221J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的耐热性能，广泛应用于需要高效功率转换的场景。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）应用。
MOSFET 的主要功能是作为电子开关或放大器使用，MG15N221J500CT 特别适用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理等应用领域。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ
总栅极电荷：95nC
输入电容：2700pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
MG15N221J500CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境，适合现代高效电源设计。
3. 强大的电流处理能力，可承载高达 28A 的连续漏极电流。
4. 耐热增强型封装，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内置静电放电（ESD）保护功能，增强了器件的鲁棒性。
MG15N221J500CT 广泛用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 直流-直流转换器，如降压或升压转换器。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率调节。
6. 各类工业自动化设备中的功率切换与控制。
IRFZ44N, FDP55N10, AO4404
