时间：2025/7/9 17:30:07
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QMJ325B7473MNHT 是一款高性能的工业级 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压和大电流的应用场合，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其主要用途包括电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。
该芯片采用了先进的封装技术，确保在恶劣的工作环境下仍能保持稳定性和可靠性。
类型：MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：700V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：180mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
QMJ325B7473MNHT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
3. 快速开关特性使得其在高频应用中表现优异。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 强大的抗静电能力(ESD)，提高了产品的耐用性和鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
7. 封装坚固耐用，适合自动化贴片生产流程。
该型号广泛应用于多个领域：
1. 开关电源(SMPS) 和不间断电源(UPS)。
2. 太阳能逆变器和风能发电设备。
3. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的驱动系统。
4. 工业自动化中的电机控制和伺服驱动。
5. LED 照明镇流器和调光控制器。
6. 各类电池充电管理系统(BMS)。
7. 高效功率转换模块，例如 DC-DC 或 AC-DC 变换器。
QMJ325B7473LHDT, IRFP260N, FQP17N60
