型号：MFP201N-RA
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：200V
　　连续漏极电流ID：17A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流IDM：68A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：典型值7.5mΩ @ VGS=10V, 最大值9.5mθ @ VGS=10V
　　阈值电压VGS(th)：典型值3.0V，范围2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：典型值1960pF @ VDS=25V, VGS=0V
　　输出电容Coss：典型值340pF
　　反向传输电容Crss：典型值60pF
　　栅极总电荷Qg：典型值37nC @ VDS=100V, ID=8.5A
　　上升时间tr：典型值17ns
　　下降时间tf：典型值28ns
　　最大功耗PD：25W @ TA=25°C
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8 Power Package

MFP201N-RA采用了Magnachip专有的高压沟槽型MOSFET工艺，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，同时提升了器件的电流密度和热稳定性。其超低的RDS(on)值（最低可达7.5mΩ）确保了在大电流工作状态下仍能保持较小的导通损耗，这对于提升电源系统的效率至关重要。特别是在同步整流、半桥/全桥拓扑结构中，低RDS(on)有助于减少发热，降低散热设计难度。
　　该器件具有优异的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg = 37nC）和米勒电容（Crss = 60pF），MFP201N-RA能够实现快速的开关响应，适用于高达数百kHz甚至接近1MHz的高频开关应用。这不仅减小了外围无源元件的体积，也有助于缩小整个电源模块的尺寸，满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。
　　此外，MFP201N-RA具备良好的热阻性能，其封装设计增强了底部散热路径，使得热量可以通过PCB有效传导出去，提高了长期工作的可靠性。器件还内置了对过温、过压和短路事件的一定耐受能力，结合外部保护电路可构建更加稳健的功率系统。ESD防护方面，该芯片通过了HBM模型超过2000V的测试标准，增强了在装配和使用过程中的抗静电能力。
　　值得一提的是，MFP201N-RA在动态性能方面进行了优化，在开关过程中表现出较低的电压过冲和振铃现象，有利于EMI（电磁干扰）的抑制。同时，其稳定的阈值电压特性和批次一致性，为批量生产提供了良好的良率保障。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源领域的一款优选器件。

MFP201N-RA广泛应用于各类需要高效功率转换的电子系统中。典型用途包括AC-DC开关电源（如适配器、充电器）、DC-DC降压/升压转换器、笔记本电脑电源管理单元、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器中的功率级电路。由于其200V的额定电压，特别适用于PFC（功率因数校正）电路后端的主开关管或同步整流开关。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块中的继电器替代方案、电机驱动H桥电路中的低端或高端开关，以及各类固态继电器设计中。其高电流承载能力和良好的热性能使其能在持续负载下稳定运行。
　　在消费类电子产品中，MFP201N-RA常见于电视、显示器、路由器等设备的内部电源模块中，用于实现高效的电压转换。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，提供低损耗的通断路径。
　　得益于SOP-8封装的小型化优势，MFP201N-RA非常适合空间受限的应用场景，例如便携式设备电源板或高密度多层PCB布局。配合合适的驱动电路和散热设计，该器件可在多种复杂电磁环境中可靠工作，满足工业级和商业级产品的设计需求。

SPM20N20C-GE3
　　STP20NM20WF
　　FQP20N20C