类型：双向 TVS 二极管阵列
　　工作电压（VRWM）：3.3 V
　　击穿电压（VBR）：最小 4.3 V，典型值约 4.8 V
　　最大钳位电压（VC）：13.5 V（在 IPP = 1.7 A 条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.7 A（基于 8/20 μs 浪涌波形）
　　峰值脉冲功率（PPP）：约 23 W（8/20 μs）
　　反向漏电流（IR）：最大 1 μA（在 3.3 V 工作电压下）
　　电容值（Cj）：典型值 0.4 pF（在 0 V 偏置下），最大不超过 0.5 pF
　　通道数：1 通道（单路保护）
　　封装形式：微型无引线封装（如 DFN1006 或类似尺寸）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD 耐受能力：±15 kV（IEC61000-4-2，接触放电）；±15 kV（空气放电）
　　极性：双向

UWX0J331MCL1GB 的一个核心特性是其超低结电容，典型值仅为 0.4 pF，这使得它非常适合用于当今高速数据传输接口的信号完整性保护。在现代通信系统中，如 USB 3.0、HDMI 2.1 或 MIPI D-PHY 等高速链路中，任何额外的寄生电容都可能导致信号衰减、反射或时序失真，进而影响通信质量甚至导致连接失败。该器件通过将电容控制在亚皮法级别，最大限度地减少了对原始信号的干扰，确保了高频信号的透明传输。同时，其双向结构允许它对正负极性的瞬态电压进行对称抑制，避免了因反向电压引发的潜在故障，提升了系统的整体鲁棒性。
　　另一个关键优势是其卓越的 ESD 防护性能。该 TVS 二极管能够承受高达 ±15 kV 的人体模型（HBM）接触放电，符合 IEC61000-4-2 Level 4 最高等级要求，这意味着即使在极端静电环境下（如干燥气候、频繁插拔操作或工业操作台），所保护的 IC 也不会因静电放电而损坏。此外，其快速响应时间几乎可以忽略不计（通常小于 1 ps），远快于大多数半导体器件的响应速度，因此能在 ESD 脉冲上升沿尚未完全建立前就启动钳位机制，有效限制电压尖峰传播至后级电路。
　　该器件采用小型化 DFN 封装，占用 PCB 面积极小，有助于实现高密度布局，特别适合移动设备内部空间紧张的设计需求。其无铅、无卤素的环保设计也符合 RoHS 和 REACH 等国际环保法规要求。热稳定性方面，器件可在 -55°C 到 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适应从极寒户外设备到高温运行的工业控制器等多种应用场景。此外，低漏电流（最大 1 μA）保证了在待机或低功耗模式下不会增加系统静态功耗，对于电池供电设备尤为重要。

UWX0J331MCL1GB 主要应用于需要高水平 ESD 保护且信号速率较高的电子系统中。典型应用包括智能手机和平板电脑中的触摸屏控制器接口、摄像头模组与主处理器之间的 MIPI CSI 接口、前置/后置麦克风音频线路、USB Type-C 数据引脚保护等。在这些场景中，用户频繁接触接口端口，极易引入静电，而内部 CMOS 传感器或基带芯片对过压极为敏感，因此必须使用高性能 TVS 器件进行前端防护。此外，该器件也常用于笔记本电脑的 HDMI 或 DisplayPort 输出端口，以防止热插拔过程中产生的瞬态电压损坏 GPU 或显示驱动芯片。
　　在可穿戴设备领域，如智能手表或无线耳机中，由于外壳尺寸小、天线密集、PCB 布局紧凑，电磁干扰和静电积累问题尤为突出，UWX0J331MCL1GB 凭借其微型封装和低电容特性成为理想的保护方案。工业手持终端、条码扫描器、医疗监测设备的人机交互界面（如按键、触控面板）也可采用该器件提升系统可靠性。此外，在物联网节点、无线模块（如 Wi-Fi/BT 模组）的 RF 控制信号线上部署此类 TVS 二极管，可有效防止装配过程或现场维护中的意外静电损伤，延长产品寿命并降低返修率。

SM712-02MTD
　　TPD1E10B06DPYR
　　ESD9L5.0ST5G