MEE95-06DA 时间：2025/8/6 12:30:33 阅读：11

MEE95-06DA 是一款由 MagnaChip 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于 DC-DC 转换器、电源管理和电机控制等场景。MEE95-06DA 采用 DFN5x6 封装，提供良好的热性能和空间效率，适合现代电子设备中对尺寸和性能有严格要求的应用。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：95A
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.2mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：110W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

MEE95-06DA 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其 Rds(on) 最大值为 6.2mΩ，远低于许多同类产品，使得该器件在高电流应用中表现尤为出色。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，额定漏极电流为 95A，能够在高负载条件下稳定工作。此外，该 MOSFET 的漏源电压为 60V，支持广泛的电源应用需求。
　　该器件采用 DFN5x6 封装，具有优异的热管理性能，能够有效散热，确保在高功率应用中的可靠性。封装设计还提供了较小的占板面积，非常适合空间受限的设计场景。
　　MEE95-06DA 的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的驱动电路设计，兼容多种控制方案。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适应性广泛，适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

MEE95-06DA 主要用于需要高效功率转换和管理的应用中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电源管理系统、电机控制器以及电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻特性使其在电动汽车、工业自动化和高性能计算设备中表现出色。
　　在 DC-DC 转换器中，MEE95-06DA 可以作为主开关器件，提供高效率和稳定的输出电压。在电机控制系统中，该器件能够支持快速开关操作，提高响应速度和控制精度。
　　此外，MEE95-06DA 还广泛应用于电池管理系统中，用于实现高效的充放电控制和保护电路设计。其优异的热性能和可靠性确保了系统在高负载条件下的稳定运行。
　　由于其优异的电气性能和紧凑的封装设计，MEE95-06DA 也被广泛应用于服务器电源、电信设备和工业控制设备中。