类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：20V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：最大20mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：SOT-223

LNZ8F20VT5G具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率MOSFET市场中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下损耗极低，提高了系统的整体效率。该器件的最大Rds(on)为20mΩ，当栅极驱动电压为4.5V时即可实现该性能，适合使用低电压控制的微控制器或驱动电路。
　　其次，LNZ8F20VT5G支持高达8A的连续漏极电流，能够胜任中高功率应用的需求，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动器。其20V的漏极-源极耐压使其适用于低压电源系统，如电池供电设备、手持设备和车载电子产品。
　　此外，该MOSFET采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产。其工作温度范围从-55°C到+175°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行，提高了系统的可靠性和耐久性。
　　最后，LNZ8F20VT5G的栅极驱动电压范围为±8V，设计灵活，可与多种驱动电路兼容，同时也具备良好的抗静电（ESD）能力，提高了器件在复杂电磁环境下的稳定性。

LNZ8F20VT5G因其高性能和紧凑的封装，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它可用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提供高效的电源转换和管理方案。在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该MOSFET可用于电池管理系统和电源切换控制，延长设备的续航时间。
　　在汽车电子系统中，LNZ8F20VT5G可用于车载充电器、LED照明驱动和电动机控制模块，其高可靠性和宽工作温度范围使其能够适应汽车复杂的运行环境。此外，该器件还可用于工业自动化设备、传感器模块和智能家电中，实现高效、稳定的功率控制。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，LNZ8F20VT5G也常用于电机驱动和负载开关设计中，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。

Si2302DS、FDN340P、2N7002K、IRLML2803、BSS138