时间：2025/7/3 17:23:33
阅读：6
IXTP50N20PM 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，适用于高电压、高电流的应用场合。IXTP50N20PM 的额定电压为 1200V，额定电流为 50A，具有低导通电阻和出色的开关性能，适合工业电源、电机驱动以及可再生能源等应用领域。
该功率 MOSFET 的设计使其能够在高压条件下保持较高的效率和可靠性，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.6Ω（典型值）
栅极阈值电压：4V
总功耗：385W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
IXTP50N20PM 的主要特性包括：
1. 高额定电压（1200V），适用于多种高压场景。
2. 大电流承载能力（50A），能够满足高功率需求。
3. 极低的导通电阻（0.6Ω 典型值），降低导通损耗。
4. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
5. 较小的栅极电荷，简化驱动电路设计。
6. 宽温度范围（-55℃ 至 175℃），适应恶劣的工作环境。
7. 稳定性和可靠性高，适用于工业级应用。
IXTP50N20PM 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源供应器和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和变频器控制。
3. 新能源领域，例如太阳能逆变器和风能转换系统。
4. 不间断电源（UPS）和电池管理系统。
5. 开关模式电源（SMPS）和其他需要高效功率转换的场景。
该器件的高电压和大电流特性使其成为许多高功率应用的理想选择。
IXTK50N120P3, IRFP460
