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ME6211C18R5G 发布时间 时间:2025/5/30 0:46:43 查看 阅读:28

ME6211C18R5G是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252(DPAK)封装,适用于各种开关和功率管理应用。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高效能电源转换、负载开关以及电机驱动等场景中表现出色。
  这款MOSFET的设计目标是提供卓越的电气性能,同时保持高可靠性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):7.9A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  总功耗(Ptot):2.3W
  工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)
  逻辑电平兼容:是

特性

ME6211C18R5G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 较高的连续漏极电流(Id),能够支持大功率应用。
  3. 广泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),适应多种环境条件。
  4. 采用DPAK封装,便于表面贴装,简化了PCB设计与生产流程。
  5. 具备逻辑电平兼容性,可直接与标准数字电路接口,无需额外的驱动电路。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代绿色电子产品的要求。

应用

ME6211C18R5G适合用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动与控制电路。
  5. 各类便携式电子设备中的功率管理模块。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动。
  7. 通信设施中的电源保护与分配。

替代型号

ME6211C18R5G-A, ME6211C18R5G-E3, IRF540N, FDP5800

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