制造商：Vishay Semiconductors
　　产品类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压（VF）：650mV @ 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 60V, 25°C
　　工作结温范围：-55°C ~ +125°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W
　　安装类型：表面贴装

1N65AL-TN3-R 具备卓越的电气性能和高可靠性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为 650mV，在 200mA 的工作电流下显著降低了功耗，提升了整体系统效率。这种低 VF 特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此具备极快的反向恢复速度，几乎可以忽略反向恢复时间（trr），使其非常适合用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、同步整流和防反接保护电路中。
　　该器件在高温环境下的稳定性表现优异，最大工作结温可达 +125°C，并且在高温条件下仍能保持较低的反向漏电流，确保系统长期运行的可靠性。SOD-123FL 封装体积小巧，外形尺寸约为 2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，极大地节省了 PCB 布局空间，适应高密度组装需求。此外，该封装具有良好的散热性能和机械强度，能够承受回流焊过程中的热应力，适用于自动化贴片生产线。
　　Vishay 对该系列产品实施严格的质量控制流程，确保每批次产品具有一致的电参数和高良率。1N65AL-TN3-R 还具备较强的抗静电能力（ESD）和耐浪涌电流能力（高达 8A），增强了在恶劣工况下的鲁棒性。其低电容特性也使其可用于高频信号整流或钳位应用，避免对信号完整性造成干扰。综合来看，该器件在效率、尺寸、可靠性和环保方面达到了良好平衡，是现代小型化电子设计的理想选择之一。

1N65AL-TN3-R 广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，常用于电池充放电路径中的防倒灌二极管或 OR-ing 电路。在 DC-DC 开关电源中，它作为次级侧整流元件，利用其低正向压降特性提升转换效率，尤其适用于低输出电压（如 3.3V 或更低）的同步整流替代方案。
　　该器件也常见于 USB 接口的电源保护电路中，防止外部异常电压反向流入主控芯片，起到隔离与保护作用。在嵌入式控制系统、传感器模块和 IoT 设备中，1N65AL-TN3-R 可用于电源切换、多电源选择逻辑以及电压箝位电路，保障敏感器件的安全运行。
　　此外，由于其快速响应特性和低噪声特性，该二极管还可用于高频信号检波、RF 检测电路和小信号整流场合。工业手持设备、医疗监测仪器等对空间和功耗有严格要求的产品也普遍采用此类高性能小信号肖特基二极管。在汽车电子中的非驱动类模块（如车载信息娱乐系统、传感器接口）中也有一定应用，前提是工作温度在其规格范围内。总之，凡是需要高效、小型、快速整流功能的低压直流电路，1N65AL-TN3-R 都是一个可靠且经济的选择。

1N65AP-TN3-R, VS-1N65AL-M3-08, B120AW-Q, PMEG2005EH, RB520S30T1U