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GA0603Y681JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:31:37 查看 阅读:6

GA0603Y681JBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺设计,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件具备高耐压、低导通电阻以及快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,其封装形式通常为表面贴装类型(SMD),具有较小的体积和较高的散热性能,适合用于紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.4A
  导通电阻:4.2mΩ
  栅极电荷:17nC
  总电容:950pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0603Y681JBXAR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的导通性能:超低的导通电阻可减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使其能够支持高频应用。
  3. 强大的散热能力:通过改进的封装技术,提升了芯片的热稳定性。
  4. 高可靠性和耐用性:在极端温度条件下依然保持良好的性能。
  5. 符合RoHS标准:绿色环保,满足国际环保要求。

应用

这款功率MOSFET适用于多种应用场景,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  5. 各类消费类电子产品中的保护电路和信号切换。

替代型号

GA0603Y681KFXAR31G, IRF6676ZTRPBF, AO6812

GA0603Y681JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-