RSS110N03FD5TB 时间：2025/6/16 22:12:49 阅读：3

RSS110N03FD5TB 是一款由瑞能半导体生产的 N 沃特型功率场效应晶体管（MOSFET），该型号采用 DPAK 封装，具有高效率和低导通电阻的特点。此器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域，能够提供卓越的性能表现。
　　该 MOSFET 的设计注重降低功耗，同时保持良好的热稳定性，使其成为许多电力电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：110A
　　导通电阻：1.6mΩ
　　栅极电荷：78nC
　　输入电容：2490pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

RSS110N03FD5TB 具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，其大电流承载能力和坚固的设计使其非常适合要求苛刻的应用环境。
　　该器件还具备快速开关速度，减少了开关损耗，并且拥有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常条件下的可靠性。
　　由于采用了先进的封装技术，RSS110N03FD5TB 提供了出色的散热性能，这对于维持长期稳定运行至关重要。再加上优秀的 ESD 防护功能，使得此 MOSFET 在各种复杂电路中表现出色。

应用

RSS110N03FD5TB 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业自动化设备中的电机控制、通信电源中的功率转换以及新能源汽车中的电池管理系统。
　　在消费类电子产品方面，它也可用于适配器和充电器以实现高效能源管理。另外，在光伏逆变器和不间断电源 (UPS) 系统里，这款 MOSFET 同样发挥着重要作用。