时间：2025/5/30 17:17:42
阅读：20
ME6201A36TG 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用Trench工艺制造。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。其封装形式为SOT-23，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率并减少发热。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：8nC
开关速度：典型值10ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
ME6201A36TG 的设计使其具有较低的导通电阻，从而降低传导损耗，同时具备快速的开关速度，减少了开关损耗。
其小型化的SOT-23封装适合于空间受限的应用场景，且具有良好的散热性能。
此外，该器件还提供较高的电流承载能力，并能在较宽的工作温度范围内稳定运行，适用于工业级及消费级应用环境。
这款功率MOSFET 芯片可广泛应用于各类电力电子领域，例如：
- 开关电源中的同步整流电路
- DC-DC转换器中的功率开关
- LED照明驱动电路中的开关元件
- 各类电池管理系统中的负载开关
- 消费类电子产品中的电源管理模块
ME6201A36DG, ME6201A36CG
