型号：40CPQ060PBF
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：肖特基势垒整流二极管
　　配置：共阴极双二极管
　　最大反向重复电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IF(AV)）：40A（单个二极管，Tc=125°C）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A（t=8.3ms，半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.59V（典型值），0.65V（最大值）@ IF=20A, Tj=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：3.0mA @ VR=60V, Tj=125°C；0.5mA @ VR=60V, Tj=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
　　封装/外壳：TO-220AB
　　安装类型：通孔（Through-Hole）
　　引脚数：3
　　是否符合RoHS：是
　　是否无铅：是

40CPQ060PBF的核心特性之一是其低正向压降表现，在高负载电流条件下仍能维持较低的导通损耗。在20A电流和125°C结温下，其典型正向压降仅为0.59V，最大不超过0.65V。这一特性显著降低了功率损耗，提高了电源系统的整体能效，特别适用于追求高效率的低压大电流输出应用，如5V或3.3V DC-DC转换器。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间（trr）。这使得40CPQ060PBF在高频开关环境中表现出色，能够有效抑制开关噪声和电压尖峰，提升系统电磁兼容性（EMC）性能。
　　该器件采用共阴极双二极管结构，两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子，这种设计非常适合同步整流拓扑之外的全波整流或双路输出电源架构。每个二极管均可独立承载高达40A的平均整流电流（在指定热条件下），具备强大的电流处理能力。同时，其高达300A的峰值非重复浪涌电流能力使其能够在电源启动或负载突变时承受瞬时大电流冲击，增强系统鲁棒性。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，支持极端环境下的稳定运行，适用于工业级和严苛工作条件下的应用。
　　TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度和电气隔离性能，还便于通过散热片进行有效热管理。其通孔安装方式确保了在高振动或高可靠性要求环境下的连接稳定性。此外，该器件无铅且符合RoHS指令，支持绿色制造流程。Vishay在其生产过程中采用了先进的芯片贴装和引线键合工艺，确保器件具有长期可靠性和一致性。40CPQ060PBF还具备较低的热阻（典型RθJC约为1.0°C/W），有助于将内部产生的热量高效传导至外部散热系统，防止局部过热导致性能下降或失效。这些综合特性使其成为高性能电源设计中的理想选择。

40CPQ060PBF广泛应用于各类高效率、大电流的电源转换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧的整流元件，特别是在低压大电流输出的场合，如计算机ATX电源、服务器电源和通信电源模块。由于其低正向压降和快速响应特性，能够显著提升轻载到满载整个区间的转换效率，满足80 PLUS等能效认证要求。在DC-DC转换器中，尤其是降压（Buck）拓扑的同步整流替代方案或非同步整流配置中，40CPQ060PBF可作为续流二极管使用，有效减少能量损耗并提升动态响应性能。
　　该器件也适用于逆变器系统中的箝位和保护电路，用于吸收感性负载产生的反向电动势，防止主开关器件（如MOSFET或IGBT）因电压尖峰而损坏。在工业电源、UPS不间断电源和电机驱动控制系统中，40CPQ060PBF凭借其高浪涌能力和宽温度工作范围，展现出卓越的可靠性和耐用性。此外，在太阳能微逆变器、LED驱动电源和电池充电管理系统中，该器件可用于防止反向电流流动，实现高效的能量管理和保护功能。
　　由于其TO-220封装易于安装和散热，40CPQ060PBF也常用于原型设计和中小批量生产中。在高密度电源模块（如砖式模块）中，尽管其体积相对较大，但在需要高可靠性和成熟技术路径的设计中仍具竞争力。总体而言，凡是需要高效、稳定、大电流整流功能的应用场景，40CPQ060PBF都是一个值得信赖的选择。

MBR4060CTG
　　STPS40L60CT
　　IXYS IXGN40N60C2