电容值：47μF
　　额定电压：4V DC
　　容差：±20%
　　介质材料：X5R
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　尺寸（英寸）：0603
　　尺寸（毫米）：1.6 x 0.8 x 1.1mm
　　直流偏压特性：典型值在4V下电容保持率约60-70%
　　等效串联电阻（ESR）：典型值小于10mΩ（频率相关）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：编带（Taping）
　　无铅/符合RoHS：是

UMV0G470MFD1TD 具备出色的电容密度与小型化设计的平衡，使其成为现代高密度PCB布局中的理想选择。其X5R介电材料确保了在宽温度范围内电容值的相对稳定性，相较于Y5V等材料，在温度变化下的电容波动更小，适合对性能一致性要求较高的应用场景。该电容器的一个显著特性是其低等效串联电阻（ESR），这有助于减少在高频开关环境下的能量损耗和发热，提高电源系统的整体效率。尤其是在DC-DC转换器的输出滤波环节，能够快速响应负载变化，维持输出电压的平稳。
　　另一个重要特性是其良好的直流偏压特性。尽管MLCC在施加直流电压时会出现电容下降的现象，但UMV0G470MFD1TD 在4V工作电压下仍能保持相对可观的有效电容（通常可维持标称值的60%以上），这对于实际应用中的去耦能力至关重要。此外，该器件采用三层端子结构（Triple Layer Termination），增强了机械强度和抗热应力能力，有效防止因PCB弯曲或热循环引起的裂纹失效。
　　该电容器还具备优异的自愈合能力，在轻微击穿情况下可通过局部放电恢复绝缘性能，从而提升长期运行的可靠性。其镍阻挡层端接结构可有效防止银迁移现象，延长使用寿命。同时，锡镀层提供了良好的可焊性，兼容标准SMT回流焊工艺，支持无铅焊接流程。整体设计兼顾了电气性能、机械稳健性和制造适应性，适用于消费类电子、通信设备及工业控制系统等多种严苛环境。

UMV0G470MFD1TD 广泛应用于各类需要高效电源去耦和噪声滤波的电子设备中。常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，用于处理器核心供电的旁路电容，能够有效吸收瞬态电流波动，防止电压跌落影响芯片正常运行。在电源管理系统中，该器件常被用作DC-DC降压或升压转换器的输入和输出滤波电容，配合电感构成LC滤波网络，显著降低输出纹波电压，提升电源质量。
　　此外，该电容器也适用于 FPGA、ASIC 和微控制器等数字IC的电源引脚去耦，保障高速逻辑电路的稳定运行。在射频模块和无线通信单元中，可用于偏置电路的滤波，隔离高频干扰信号，提升信号完整性。工业控制板、传感器模块以及车载信息娱乐系统中也能见到其身影，得益于其宽温特性和高可靠性，能够在较恶劣的温度环境下持续工作。
　　由于其小型化封装和高性能表现，该型号特别适合用于高密度贴片电路板设计，尤其在追求轻薄化的终端产品中替代传统钽电容或铝电解电容，避免极性错误风险并提升寿命。此外，在LED驱动电路、音频放大器旁路以及ADC/DAC参考电压滤波等模拟电路中也有良好表现，提供稳定的局部储能功能。

GRM188R71E476ME9J
　　CL2018XR5RA476MEZC
　　C1608X5R1E476M080AE