MK50H27Q-25是一款由Micron Technology制造的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于快速页面模式DRAM(FPM DRAM)类别,广泛应用于需要较高数据访问速度的嵌入式系统和工业设备中。该型号封装为54引脚SOJ(Small Outline J-Lead),适用于需要高可靠性和稳定性的工业级环境。
容量:4MB
组织方式:1M x 4位
工作电压:5V
访问时间:25ns
封装类型:54引脚SOJ
工作温度范围:-40°C至+85°C
存储器类型:FPM DRAM
刷新周期:64ms
数据保持电压:2V(最低)
MK50H27Q-25是一款专为工业应用设计的高速DRAM芯片,其25ns的访问时间使其在处理快速数据读写任务时表现出色。该芯片采用先进的CMOS技术制造,确保了低功耗和高可靠性。其54引脚SOJ封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械稳定性,非常适合在工业环境中使用。
此外,该芯片具备自动刷新和自刷新功能,能够在低功耗模式下保持数据完整性,特别适合需要长时间运行且对功耗敏感的应用场景。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种极端温度环境。
Micron的DRAM技术在业界享有盛誉,MK50H27Q-25继承了这一优势,提供了优异的数据保持能力和抗干扰性能,确保在复杂电磁环境中稳定工作。
MK50H27Q-25广泛应用于工业控制设备、通信设备、测试仪器、医疗设备以及嵌入式系统中。由于其高可靠性和宽温特性,特别适用于恶劣工业环境中的实时数据存储和处理需求。
MT48LC16M4A2B4-6A、TC55V160BFT-85、CY7C1041CV-25、IS61LV25616-10T