型号：ME3987S-G
　　类型：P-Channel MOSFET
　　封装：SOT-23 (SOT-23-3L)
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-4.1A (Ta=25℃)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=15V
　　工作温度范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散(PD)：300mW (Ta=25℃)

ME3987S-G采用先进的Trench MOSFET工艺技术，具备出色的电气性能与可靠性，特别针对低电压、低功耗应用场景进行了优化。其核心特性之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS = -10V条件下可低至45mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。即使在较低的栅极驱动电压下（如-4.5V或-2.5V），其RDS(on)仍保持在合理范围内，确保在电池电压逐渐下降时依然能够稳定工作，延长了电池使用寿命。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，属于低阈值型P沟道MOSFET，这意味着它可以在较低的控制信号电压下实现快速开启，非常适合由逻辑门电路或微控制器直接驱动的应用场合。这种特性减少了对外部驱动电路的需求，简化了系统设计并节省了PCB空间。同时，由于其P沟道结构，在高端开关配置中可以方便地作为电源开关使用，例如在电池管理系统中实现电源通断或反向电流阻断功能。
　　ME3987S-G具有良好的热稳定性和抗冲击能力，最大结温可达+150℃，能够在高温环境下长时间可靠运行。其输入电容仅为450pF左右，有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频切换效率。此外，器件内部未集成体二极管，因此在某些特定应用中需外接肖特基二极管以防止反向电流倒灌。
　　封装方面，SOT-23-3L是一种小型表面贴装封装，体积小巧，适合自动化贴片生产，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、蓝牙耳机、移动电源等便携式电子产品中。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在各种恶劣工况下均能保持稳定的性能表现。

ME3987S-G主要用于各类低电压直流电源管理与控制电路中，尤其适合便携式电子设备中的电源开关与负载切换应用。典型应用场景包括锂电池供电系统的电源通断控制，作为高端开关用于切断电池与主电路之间的连接，以实现待机模式下的零功耗或极低功耗运行。此外，该器件可用于过压、过流保护电路中的开关元件，配合控制IC实现故障状态下的自动断电保护。
　　在电池反接保护电路中，ME3987S-G可被配置为防反接开关，当电池极性接反时，MOSFET处于截止状态，阻止电流流动，从而保护后级电路不受损坏。这一特性在汽车电子、工业仪表、户外设备等可能存在人为接线错误的环境中尤为重要。
　　该器件也常用于多电源选择电路中，例如在主电源与备用电池之间进行自动切换，确保系统持续供电。由于其低静态电流和快速响应能力，非常适合作为负载开关（Load Switch）使用，在不同功能模块上电/下电时提供精确控制，避免浪涌电流对系统造成干扰。
　　此外，ME3987S-G还可应用于DC-DC转换器的同步整流电路、LED驱动电路中的开关控制、USB接口电源管理等领域。得益于其小型化封装和高可靠性，该器件在消费类电子、物联网终端、智能家居设备、医疗电子设备中均有广泛应用。对于需要高集成度、高效率和长续航时间的产品设计而言，ME3987S-G是一个理想的选择。

ME3987S-G, AOD403, DMG2304U, FDMC86262, SI2301, BSS84