尺寸：2.0mm x 1.6mm x 1.25mm (Max)
　　电容值：根据具体后缀可能有所不同，典型值可达 10μF 或更高
　　额定电压：50V DC
　　容差：±20%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过 ±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥4000 MΩ·μF 或 ≥500 MΩ（取较大值）
　　耐湿性：符合 IEC 61193-1 和 EIA-198 标准
　　端接材料：镍阻挡层 + 锡外涂层（适用于回流焊）
　　失效率：低，符合高可靠性应用要求

X201616MLB4SI 具备多项关键特性，使其成为众多高端电子设计中的首选元件之一。首先，其采用 X7R 类 II 陶瓷介质，具有良好的介电常数与温度稳定性之间的平衡，在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内，电容值的变化控制在 ±15% 以内，远优于其他普通介质材料如 Y5V。这种稳定的温度特性使得它非常适合用于滤波、旁路、耦合及去耦等对电容稳定性要求较高的电路中。其次，该电容器拥有较高的体积效率，即在极小的 2016 封装尺寸下实现较大的电容容量（例如可达 10μF 或以上），这得益于 Murata 独有的高层数叠层技术和高纯度陶瓷粉末处理工艺。此外，X201616MLB4SI 具备优异的机械强度和抗热冲击能力，能够承受多次无铅回流焊接过程而不损坏，适应现代 SMT 生产流程。
　　另一个重要特性是其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），这使其在高频去耦应用中表现出色，可有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。尤其在数字 IC 供电路径中作为去耦电容时，能快速响应瞬态电流需求，减少电压波动。同时，该器件具备良好的直流偏压特性——尽管所有 Class II MLCC 都存在随电压升高电容下降的现象，但 X 系列通过优化介质配方显著缓解了这一问题，在实际工作电压下的有效电容保持率高于同类产品。最后，X201616MLB4SI 符合 RoHS 指令和 REACH 法规要求，不含铅、镉等有害物质，并采用防潮包装设计，确保长期储存和运输过程中的可靠性。其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，适用于自动化贴片生产线。这些综合特性使 X201616MLB4SI 成为追求高性能与小型化的理想选择。

X201616MLB4SI 多层陶瓷电容器广泛应用于多个高科技领域，尤其适用于对空间限制严格且要求电气性能稳定的电子系统。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式音频播放器，该电容器常被用作处理器、内存模块和射频前端芯片的电源去耦元件，以消除高频噪声并稳定供电电压。由于其小型化设计，可在主板高密度布线环境中节省宝贵空间，同时提供足够的储能能力应对动态负载变化。
　　在通信基础设施方面，X201616MLB4SI 被广泛用于基站、光模块、路由器和交换机中的信号耦合与滤波电路。其稳定的 X7R 特性和低 ESR 特性有助于提高信号完整性，降低电磁干扰（EMI），从而保障高速数据传输的可靠性。在工业控制和自动化设备中，如 PLC 控制器、传感器接口电路和电机驱动器，该电容可用于电源稳压、ADC 基准旁路以及噪声滤波，确保系统在恶劣环境下的长期稳定运行。
　　此外，该型号也适用于汽车电子应用，包括车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）传感器模块和车身控制单元。虽然并非所有 X 系列都通过 AEC-Q200 认证，但在非动力总成类应用中仍可使用。其宽工作温度范围和高可靠性使其能在车辆运行过程中承受振动、湿度和温度剧烈变化的挑战。在医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，X201616MLB4SI 凭借其低漏电流和长期稳定性，可用于精密模拟前端电路的滤波与去耦，保证测量精度。总之，该器件凭借其紧凑尺寸、高性能和广泛的兼容性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM206LZ1H106ME01L
　　CL2016BB1H106ME
　　CC0201605K50