容量：4GB
　　内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
　　带宽：1TB/s
　　工作电压：1.3V
　　封装尺寸：35mm x 17mm
　　数据速率：2.4Gbps
　　堆叠层数：8层DRAM芯片
　　接口类型：宽I/O接口
　　温度范围：0°C至+85°C

H9CKNNNDATAT-DRNUH的主要特性包括高带宽、低功耗和紧凑的封装设计。该模块支持高达2.4Gbps的数据速率，能够在有限的空间内提供极高的内存带宽，满足高性能计算和图形处理的需求。其3D堆叠技术不仅提高了内存密度，还有效降低了功耗，适用于对功耗敏感的移动和嵌入式设备。此外，该模块的宽I/O接口减少了引脚数量，降低了PCB布线的复杂性，并提高了信号完整性。模块内部还集成了温度传感器，可实时监测运行温度，确保系统的稳定性和可靠性。
　　这款HBM模块的工作电压为1.3V，符合JEDEC标准，具有良好的兼容性，适用于多种高端计算平台。其封装尺寸为35mm x 17mm，适合用于空间受限的设计，如高性能GPU和AI加速卡。此外，该模块支持在0°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适应各种复杂的工作环境。

H9CKNNNDATAT-DRNUH广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、深度学习、图形处理单元（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）和高端游戏显卡等领域。由于其高带宽和低功耗特性，该模块非常适合用于需要大量数据处理的AI训练和推理任务。在GPU中，该模块可以显著提升显存带宽，增强图形渲染性能，适用于游戏、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）应用。此外，该模块也可用于FPGA加速器和网络设备，提升数据处理速度和系统响应能力。在AI加速器中，该模块能够支持大规模并行计算，满足深度学习模型训练和推理的内存需求。

H9CKNNNDATAT-DRNTS, H9CKNNNDATAT-DRNUS