制造商：Vishay
　　产品系列：ME3220
　　电容：2200 pF (2.2 nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：1000 VDC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装/外壳：EIA 1210（3225公制）
　　尺寸：3.2 mm x 2.5 mm x 2.0 mm（典型高度）
　　介质材料：陶瓷（X7R）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　端接类型：贵金属电极，镍阻挡层，锡镀层
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流电阻（DCR）：低
　　自谐振频率（SRF）：典型值约50 MHz（取决于PCB布局）

ME3220-222ML采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了在高电压环境下仍能维持稳定的电容性能。其X7R介电材料具有优异的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的极端温度范围内保持电容值的变化在±15%以内，适用于工作环境恶劣的工业与汽车电子设备。该电容器的额定电压高达1000VDC，使其成为高压耦合、去耦、滤波和能量存储应用的理想选择。在实际应用中，即使面对瞬态过压或电压波动，该器件也能提供可靠的性能表现，减少系统故障风险。
　　该器件的结构设计优化了电场分布，降低了局部电场集中带来的击穿风险，从而提高了长期运行的可靠性和寿命。其内部电极采用贵金属材料（如钯银合金），并配有镍扩散阻挡层和外部可焊性良好的锡镀层，不仅增强了抗热冲击能力，还确保了在多次回流焊过程中端子的完整性和焊接可靠性。这种三重端接结构特别适合无铅焊接工艺，符合现代环保制造标准。
　　ME3220-222ML的小型化表面贴装封装使其在空间受限的设计中具有优势，同时仍保持较高的电压额定值和机械强度。其低等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL）特性有助于提升高频滤波效率，适用于开关电源中的噪声抑制电路。此外，该电容器经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（THB）、温度循环和耐久性试验，确保在严苛环境下长期稳定运行。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于精密模拟信号路径中的耦合与旁路应用。

ME3220-222ML因其高电压额定值和良好的温度稳定性，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在工业电源领域，常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波、EMI抑制以及跨接在功率MOSFET或IGBT栅极驱动电路中作为去耦电容，有效降低电压尖峰和噪声干扰。在医疗电子设备中，该电容器可用于高压发生器或成像系统的信号调理模块，确保信号传输的稳定性和安全性。
　　在通信基础设施中，ME3220-222ML可用于基站射频模块的匹配网络和滤波电路，利用其稳定的电容特性和高频响应能力，提高信号完整性。此外，在汽车电子系统中，尤其是在车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和电池管理系统（BMS）中，该器件可用于高压侧的去耦和滤波，满足AEC-Q200等车规级可靠性要求。
　　其他应用还包括测试与测量仪器、航空电子设备、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统等需要高可靠性和长寿命的场合。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化生产线使用，提升了制造效率和产品一致性。无论是在高温、高湿还是振动环境中，ME3220-222ML均表现出卓越的稳定性，是工程师在高压小型化设计中的优选元件之一。

GRM32DR71H222KW01L
　　CL31B222MPHNNNE
　　C322C222MJG1TA