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CST1770F-351M 发布时间 时间:2025/5/28 12:18:37 查看 阅读:9

CST1770F-351M是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于中高压应用场景,支持快速开关操作,并且具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

型号:CST1770F-351M
  类型:N沟道功率MOSFET
  漏源极电压(Vds):60V
  栅源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):49nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-220

特性

CST1770F-351M的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为3.5mΩ,可显著减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 支持高达28A的连续漏极电流,满足大电流应用需求。
  3. 具有快速开关能力,总栅极电荷Qg为49nC,适合高频工作环境。
  4. 良好的热性能设计,确保在高功率运行时保持稳定性。
  5. 工作电压范围宽广,漏源极电压可达60V,适用于多种电力电子设备。
  6. 高可靠性设计,通过了严格的电气和机械测试,保证长期使用中的稳定性。

应用

CST1770F-351M广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):
   包括适配器、充电器以及工业电源等。
  2. 电机驱动:
   用于控制直流无刷电机、步进电机等。
  3. DC-DC转换器:
   提供高效稳定的电压转换功能。
  4. 电池管理系统(BMS):
   在电动汽车和储能系统中起到关键作用。
  5. 照明系统:
   如LED驱动器和其他高效照明解决方案。
  6. 工业自动化:
   包括各类工业控制设备及机器人驱动电路。

替代型号

CST1770F-360M, IRFZ44N, FDP55N06L

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