CST1770F-351M是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于中高压应用场景,支持快速开关操作,并且具有良好的热稳定性和可靠性。
型号:CST1770F-351M
类型:N沟道功率MOSFET
漏源极电压(Vds):60V
栅源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
总栅极电荷(Qg):49nC
开关速度:快速
封装形式:TO-220
CST1770F-351M的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为3.5mΩ,可显著减少传导损耗,提高整体效率。
2. 支持高达28A的连续漏极电流,满足大电流应用需求。
3. 具有快速开关能力,总栅极电荷Qg为49nC,适合高频工作环境。
4. 良好的热性能设计,确保在高功率运行时保持稳定性。
5. 工作电压范围宽广,漏源极电压可达60V,适用于多种电力电子设备。
6. 高可靠性设计,通过了严格的电气和机械测试,保证长期使用中的稳定性。
CST1770F-351M广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
包括适配器、充电器以及工业电源等。
2. 电机驱动:
用于控制直流无刷电机、步进电机等。
3. DC-DC转换器:
提供高效稳定的电压转换功能。
4. 电池管理系统(BMS):
在电动汽车和储能系统中起到关键作用。
5. 照明系统:
如LED驱动器和其他高效照明解决方案。
6. 工业自动化:
包括各类工业控制设备及机器人驱动电路。
CST1770F-360M, IRFZ44N, FDP55N06L