MDR649E-T 时间：2025/12/26 19:22:58 阅读：11

MDR649E-T是一款由Rohm Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似小型化封装），适合在空间受限的便携式电子设备中使用。MDR649E-T具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，能够有效降低功率损耗并提高系统整体能效。作为P沟道MOSFET，其工作方式允许在高端开关配置中简化栅极驱动电路设计，无需额外的电荷泵电路即可实现负载开关、电源路径控制等功能。该器件广泛应用于电池供电设备、智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他需要低电压、低功耗控制的场合。MDR649E-T在制造过程中符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性与长期稳定性，适用于工业级温度范围内的运行环境。

参数

型号：MDR649E-T
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-4.4A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-11A
　　导通电阻(RDS(on))：37mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：48mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：12nC @ VGS=-10V
　　体二极管反向恢复时间(Trr)：30ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MDR649E-T具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。在VGS = -10V条件下，RDS(on)仅为37mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升电源系统的转换效率，尤其适用于电池供电设备中对能耗敏感的应用场景。此外，在VGS = -4.5V时仍能保持48mΩ的低导通电阻，说明该器件在较低栅极驱动电压下依然具备良好性能，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，无需复杂的驱动电路即可直接由微控制器IO口驱动。
　　该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度。同时，其结构设计有效抑制了短沟道效应，增强了器件在高温和高电压应力下的可靠性。输入电容Ciss为600pF，输出电容Coss为190pF，Crss为40pF，这些电容参数表明其具有较快的开关速度，适用于中高频开关应用，例如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　MDR649E-T还内置了反向体二极管，其反向恢复时间Trr仅为30ns，减少了开关过程中的反向恢复电荷，从而降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI）。该特性使其在频繁开关操作中表现优异。此外，器件支持高达-4.4A的连续漏极电流和-11A的脉冲电流，能够在短时间内承受较大的瞬态负载，提高了系统应对突发电流需求的能力。
　　热性能方面，MDR649E-T的工作结温范围为-55°C至+150°C，可在严苛环境下稳定运行。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还通过优化引线框架设计提升了散热效率，确保长时间高负载工作下的热稳定性。整体来看，MDR649E-T是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于对尺寸、效率和可靠性均有较高要求的现代电子产品。

应用

MDR649E-T广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，典型用途包括锂电池供电系统的负载开关和电源路径管理。在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。此外，该器件也适用于DC-DC降压或升压转换器中的高端开关元件，尤其是在同步整流拓扑中作为主控开关使用，凭借其低RDS(on)和快速响应特性，显著提升转换效率。
　　在电池充电管理电路中，MDR649E-T可用于隔离主电源与备用电池之间的连接，防止反向电流流动，确保系统安全。它还可作为过流保护或热插拔控制电路中的开关元件，配合控制IC实现自动断电保护功能。由于其支持宽温度范围和高可靠性，该器件同样适用于工业传感器、无线通信模块、USB电源开关以及小型物联网终端设备等应用场景。
　　在消费类电子产品中，MDR649E-T常被用于LED背光驱动电路中的开关控制，或作为音频放大器的电源使能开关，以减少待机功耗。其P沟道特性使得在高端驱动配置中无需额外的栅极驱动电路，简化了设计复杂度并降低了整体成本。因此，该器件特别适合需要紧凑布局、高效能和低成本解决方案的设计方案。