时间：2025/8/16 10:16:45
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FHX45X是一款高性能的场效应晶体管（FET）器件，广泛应用于高频和高功率场景。该芯片采用先进的硅技术，具备高效率和低损耗的特点，适用于无线通信、射频功率放大器和工业控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：20A
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
增益：20dB
FHX45X具有出色的高频性能和高效的功率处理能力，能够在高频条件下稳定运行。其低导通电阻和高增益特性使其在射频应用中表现卓越，同时具备良好的散热性能以满足高功率需求。芯片采用高可靠性设计，可在严苛的环境下保持稳定工作。
此外，FHX45X具备快速开关特性和较低的损耗，显著提高了整体效率。其高耐用性设计确保了长期运行的稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业和通信应用。
FHX45X广泛应用于无线通信设备、射频功率放大器、高频开关电源以及工业控制系统。该器件还适用于电动车辆的电源管理系统和高精度测试设备。
FHA45X, FHB45X
