时间：2025/12/23 10:08:04
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TBAS21TW 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件适用于各种需要高效开关和低导通电阻的应用场景，具有出色的电流处理能力和热性能。其典型应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.6A
导通电阻（Rds(on)）：70mΩ @ Vgs=10V
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-252
TBAS21TW 的主要特性包括高效率的开关操作和较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。
它具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
同时，该器件还具有快速的开关速度和较低的输入电容，适合高频开关应用。
此外，其封装设计紧凑且符合行业标准，便于 PCB 布局和安装。
TBAS21TW 广泛应用于多种电子设备中，例如消费类电子产品中的电源管理模块、工业自动化控制中的电机驱动电路、通信设备中的信号调节电路，以及汽车电子中的电池管理系统。
具体应用场景包括但不限于以下几种：
1. 开关电源 (Switching Power Supplies)
2. DC-DC 转换器
3. 负载开关 (Load Switches)
4. 电机驱动 (Motor Drivers)
5. 电池保护电路 (Battery Protection Circuits)
TBAS21TWS, IRFZ44N, FDP55N10
