MDP15N60G 时间：2025/12/29 14:20:21 阅读：7

MDP15N60G是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高功率应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及优良的开关性能，适用于诸如电源转换器、电机控制、UPS系统和各种高电压电子设备中。MDP15N60G采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和紧凑的设计，适合高密度电路布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：15A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

MDP15N60G具备多项优异特性，包括高耐压能力（600V Vds）和较大的连续漏极电流承载能力（15A），这使其在高压开关应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够在高频条件下稳定工作，从而减小外围电路的尺寸并提升系统的动态响应。
　　TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在PCB上，尤其适合需要表面贴装的应用场景。该器件内置的栅极保护二极管可防止静电放电（ESD）损害，提高了器件的可靠性和耐用性。MDP15N60G还具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下长时间稳定运行，适用于工业级和汽车电子等苛刻环境下的应用。
　　此外，MDP15N60G采用了先进的平面技术，提供了更高的雪崩能量承受能力，确保在极端条件下仍能保持稳定运行。其优化的结构设计减少了内部寄生电容，进一步提升了开关速度和效率，降低了开关损耗，适用于各类DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、照明驱动电路和电机控制系统。

应用

MDP15N60G广泛应用于多种高压和高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电池充电器等设备中，以实现高效能的能量转换。在电机控制方面，该MOSFET适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机控制器，提供高效的功率控制。
　　此外，MDP15N60G还可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、LED照明驱动电路以及家用电器中的功率控制模块。其优异的开关性能和热稳定性使其成为工业自动化设备、电动工具、电动汽车（EV）充电系统以及智能电网设备中的理想选择。
　　由于其高耐压能力和良好的热管理特性，MDP15N60G也常用于高频电源转换器和脉宽调制（PWM）控制电路中，能够有效减少开关损耗并提升系统整体效率。