类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：50A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　技术：高压MESH技术

IXGK50N50B采用IXYS的高压MESH技术，提供了卓越的开关性能和较低的导通损耗。该MOSFET具有非常低的RDS(on)值，确保在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，它具有较高的dv/dt耐受能力，能够有效防止在高电压切换过程中可能出现的误触发问题。器件的热阻较低，有助于提升热稳定性，并在高电流应用中保持可靠运行。
　　其TO-247AC封装设计具有良好的散热性能，适合用于高功率密度系统。该器件还具备较高的短路耐受能力，使其在电机驱动和电源变换等应用中更加稳定可靠。
　　IXGK50N50B的栅极驱动要求相对较低，能够在常见的10V至15V驱动电压下完全导通，降低了驱动电路的设计复杂度，并提高了系统的整体效率。

IXGK50N50B广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用于高效率的DC-DC转换器或AC-DC转换器，以减少能量损耗并提高系统稳定性。在工业电机控制中，该MOSFET可用于高频开关的逆变器拓扑结构中，实现对电机速度和扭矩的精确控制。
　　此外，该器件还适用于太阳能逆变器系统，用于将光伏板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。由于其高耐压和低导通电阻特性，IXGK50N50B在这些应用中能够提供优异的效率表现。
　　其他应用包括不间断电源（UPS）、电池管理系统、电动汽车充电设备以及高功率LED照明驱动器。

IXGK50N50C, IRF50N50C, FGL50N50, FDP50N50