IS42VM16320E-75BLI 是由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能、低功耗的32Mbit(1M x 32)伪静态随机存取存储器(PSRAM)。该芯片结合了SRAM的易用性和DRAM的高密度优势,适用于需要较大内存容量但又不希望采用复杂DRAM接口的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造,具有高速访问时间和宽温度范围,适用于工业级应用。IS42VM16320E-75BLI采用54引脚TSOP封装,工作电压为2.3V至3.6V,兼容多种电源管理方案。
容量:32Mbit
组织结构:1M x 32
电压范围:2.3V - 3.6V
访问时间:7.5ns
封装类型:54-TSOP
温度范围:-40°C至+85°C
封装尺寸:18.4mm x 12.0mm
接口类型:异步SRAM接口
最大工作频率:133MHz
数据保持电压:2.0V(最小)
IS42VM16320E-75BLI 具有以下主要特性:
首先,它是一款伪静态RAM(PSRAM),在保持SRAM接口的同时,内部集成了自刷新机制,从而在不牺牲性能的前提下实现更高的存储密度。这种设计使得开发人员无需复杂的DRAM控制器即可使用大容量内存,降低了系统设计的复杂度。
其次,该芯片支持宽电压范围操作(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源架构,包括低功耗嵌入式系统和电池供电设备。此外,其低待机电流和数据保持模式有助于延长设备的电池寿命。
此外,IS42VM16320E-75BLI采用工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保其在严苛环境下的稳定运行。封装形式为54引脚TSOP,尺寸小巧,适合空间受限的应用场景。
最后,该芯片内部集成了纠错和刷新控制逻辑,从而减少了外部控制器的负担,提高了系统的可靠性。
IS42VM16320E-75BLI 主要应用于以下领域:
首先,在嵌入式系统中,如工业控制、医疗设备、智能仪表等,该芯片可作为高速缓存或临时数据存储单元,提升系统的响应速度和数据处理能力。
其次,在网络设备中,如路由器、交换机和无线接入点,该PSRAM可作为数据缓冲区,用于临时存储高速传输的数据包,确保数据流的连续性和稳定性。
再者,在消费电子产品中,如智能电视、机顶盒和多媒体播放器,IS42VM16320E-75BLI可用于图形缓存或视频缓冲,提高图像处理效率和显示质量。
此外,在汽车电子系统中,例如车载导航、信息娱乐系统和ADAS(高级驾驶辅助系统),该芯片的工业级温度范围和高可靠性使其成为理想的内存解决方案。
最后,在通信设备、测试仪器和FPGA开发板中,该芯片也广泛用于提供高性能、低功耗的存储扩展方案。
IS42VM16320B-75BLI, IS42VM16320E-75BLL, CY7C1470V-35BZXC, IDT71V416SA10PFG