时间：2025/6/12 13:53:55
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GA1206A122FBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，能够实现更低的开关损耗和更高的系统效率，广泛应用于电源管理、电机驱动和DC-DC转换等领域。
型号：GA1206A122FBBBR31G
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：45A
最大脉冲漏极电流(Ip)：180A
导通电阻(Rds(on))：1.9mΩ (典型值)
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：3200pF
输出电容(Coss)：280pF
反向传输电容(Crss)：80pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA1206A122FBBBR31G具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流和电压能力，适合于高功率应用。
3. 快速开关速度，有效降低开关损耗。
4. 强大的热性能，确保在极端条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 高可靠性设计，适用于严苛的工作环境。
该MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的高频开关元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
IRFP250N, STP120NF12Z
