时间：2025/9/20 17:47:55
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55GN01M-TL-E是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件封装在DFN5x6小型无铅封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于对空间和能效要求较高的应用场景。其额定电压为55V，最大连续漏极电流可达100A，适合用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及电池供电系统等。55GN01M-TL-E在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期稳定性，广泛应用于通信电源、工业控制和消费类电子产品中。
这款MOSFET的关键优势在于其出色的RDS(on)性能，在低栅源电压下仍能保持较低的导通损耗，支持逻辑电平驱动，可直接与PWM控制器或数字信号处理器接口。其封装形式有助于实现自动化贴片生产，同时提供良好的散热路径，确保在高负载条件下稳定运行。由于其高性能和紧凑尺寸，55GN01M-TL-E成为现代高密度电源设计中的理想选择之一。
型号：55GN01M-TL-E
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：55V
连续漏极电流(ID)@25°C：100A
连续漏极电流(ID)@100°C：50A
脉冲漏极电流(IDM)：400A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：0.95mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：1.3mΩ
栅极电荷(Qg)@10V：75nC
输入电容(Ciss)：4200pF
反向恢复时间(trr)：28ns
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
封装：DFN5x6
55GN01M-TL-E采用了AOS专有的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)，即使在大电流条件下也能有效减少功率损耗和发热。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为0.95mΩ，而在VGS=4.5V时仍可达到1.3mΩ，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如数字电源管理和微控制器控制的开关电路。这种低阈值特性不仅提高了系统的响应速度，还增强了能效表现。
该MOSFET的栅极电荷Qg为75nC（@VGS=10V），相对较低的栅极电荷意味着在高频开关操作中所需的驱动功率更少，从而降低了驱动IC的负担并减少了开关过程中的能量损耗。同时，其输入电容Ciss为4200pF，输出电容Coss约为1300pF，这些参数经过优化以平衡开关速度与电磁干扰（EMI）之间的关系，使得器件能够在高频率下稳定工作而不引发严重的噪声问题。
在安全工作区（SOA）方面，55GN01M-TL-E表现出色，能够承受短时间内的高电流冲击，例如在电机启动或电源浪涌期间。其脉冲漏极电流可达400A，体现了强大的瞬态电流处理能力。此外，器件内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=28ns），有助于降低换流过程中的电压尖峰和开关损耗，特别适合用于同步整流拓扑结构中。
热性能方面，DFN5x6封装提供了优异的散热能力，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至地层或散热层，从而有效控制结温上升。该器件的工作结温范围为-55°C至+150°C，保证了在极端环境温度下的可靠运行。同时，产品通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查阅具体数据手册确认），适用于对可靠性要求较高的工业和汽车级应用。
总体而言，55GN01M-TL-E是一款集低导通电阻、高电流承载能力、优良热性能和高频适用性于一体的高性能功率MOSFET，适用于追求高效率和高功率密度的设计需求。
55GN01M-TL-E广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中，典型用途包括同步降压转换器、DC-DC模块、VRM（电压调节模块）、电池管理系统（BMS）、电动工具电源、服务器电源单元、LED驱动电源以及工业电机驱动器。其低RDS(on)和高电流能力使其特别适合用作主开关管或同步整流管，在多相供电架构中可并联使用以分担电流负载。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和便携式储能设备中的功率切换环节。由于其小型化封装，非常适合空间受限的高密度PCB布局设计。
AOTF5520L
AOZ5511PN
SiR346DP
