类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流（Id）：140A
　　最大漏源电压（Vds）：2200V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约25mΩ
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷（Qg）：典型值约340nC
　　短路耐受能力：具备
　　热阻（Rth）：根据散热条件变化

MDNA140P2200TG 是一款高性能功率MOSFET模块，具有多个关键特性使其适用于高功率应用。
　　首先，该模块的最大漏极电流为140A，最大漏源电压为2200V，能够在高电压和高电流环境下稳定工作，适用于需要处理大功率的场合，如工业电源、电机驱动和逆变器等应用。
　　其次，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为25mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高功率应用场景中，降低导通损耗对于减少发热和提高系统可靠性至关重要。
　　该模块采用双列直插式封装（DIP），便于安装和散热设计。其工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度适应性，适用于各种恶劣的工作环境。
　　此外，MDNA140P2200TG 还具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。
　　最后，该模块的栅极电荷（Qg）典型值为340nC，这使得其开关速度较快，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度。热阻（Rth）会根据散热条件的不同而变化，设计时需要考虑良好的散热措施以确保模块的稳定工作。

MDNA140P2200TG 主要应用于需要高功率处理能力的电力电子系统。例如，在工业电源中，该模块可以用于构建高效的DC-DC转换器或AC-DC整流器，提供稳定的电源输出。
　　在电机驱动领域，MDNA140P2200TG 可用于构建高性能的变频器或伺服驱动器，控制电机的转速和扭矩，适用于工业自动化和机器人系统。
　　此外，该模块还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），将直流电转换为交流电，满足不同设备的供电需求。
　　由于其良好的短路耐受能力和高可靠性，MDNA140P2200TG 也适用于电动汽车充电系统和电能质量调节设备，确保系统在高负载条件下的稳定运行。

IXFN140N20、IXFN140N25、IXFN140N30、SiC模块如Cree C2M0025120D